O Έλληνας που βραβεύτηκε με το μετάλλιο IEEE Jun-ichi Nishizawa
Σημαντικοί Έλληνες

O Έλληνας που βραβεύτηκε με το μετάλλιο IEEE Jun-ichi Nishizawa

Ο Δρ. Δημήτρης Α. Αντωνιάδης, γνωστός για τη διαισθητική προσέγγισή του στις πολύπλοκες τεχνολογίες, είχε τεράστιο αντίκτυπο σε πολλούς τομείς της μικροηλεκτρονικής τεχνολογίας, ειδικά σε συσκευές ελεγχόμενου πεδίου, κβαντικού αποτελέσματος και μοντελοποίησης διεργασιών πυριτίου.

Ο Δημήτρης Α. Αντωνιάδης γεννήθηκε την 1η Ιανουαρίου 1947 στην Αθήνα. Έλαβε το B.S. στη Φυσική από το Εθνικό και Καποδιστριακό Πανεπιστήμιο Αθηνών, το 1970, και το Ph.D. στην Ηλεκτρολογία από το Πανεπιστήμιο του Στάνφορντ, το 1976.

 

 

Στο Στάνφορντ, στα μέσα της δεκαετίας του ’70, ο Δρ Αντωνιάδης είχε βασικό ρόλο στην ανάπτυξη των SUPREM I και II, τα οποία έγιναν τα πρώτα ευρέως χρησιμοποιούμενα εργαλεία προσομοίωσης διεργασιών στη βιομηχανία και η βάση των προγραμμάτων που χρησιμοποιούνται σήμερα.

Το 1978, ο Δρ. Αντωνιάδης μετέβη στη σχολή του MIT, όπου ήταν συνιδρυτής και πρώτος Διευθυντής των Τεχνολογικών Εργαστηρίων MIT Microsystems, αναλαμβάνοντας ένα πρόγραμμα που απέδειξε και ποσοτικοποίησε τον διπλό μηχανισμό διάχυσης κενών θέσεων μεταξύ των αντικαταστατικών προσθετικών ατόμων στο Si. Αυτό το μοντέλο διπλής διάχυσης παραμένει στον πυρήνα όλων των σύγχρονων προσομοιωτών διεργασιών. Αργότερα, διήθυνε το SRC MIT Center of Excellence for Microsystems Technology.

 

 

Στη δεκαετία του 1980, ο Δρ. Αντωνιάδης, με τους συναδέλφους του στο MIT, καθιέρωσε ένα τολμηρό ερευνητικό πρόγραμμα σε συσκευές πεδίου δράσης που εκμεταλλεύτηκαν τις ακραίως μικρότερες από το μικρόμετρο, τελευταίας τεχνολογίας τεχνικές λιθογραφίας. Το πρόγραμμα παρήγαγε πολλές πρωτοποριακές επιδείξεις, συμπεριλαμβανομένων εκείνων των πλευρικών επιφανειών superlattice και σχεδόν μονοδιάστατων διαύλων σε πυρίτιο και GaAs, και την πρώτη κρυσταλλολυχνία μονοκυμάτων πυριτίου.

Σε συνεργασία με τους φοιτητές του, ο Δρ Αντωνιάδης έχει κάνει πολλές πρωτοποριακές συνεισφορές στην έρευνα MOSFET Bulk-Silicon και Silicon-on-Insulator, που επηρέασε σημαντικά τις βασικές πτυχές του σχεδιασμού συσκευών για τα σημερινά υψηλής απόδοσης MOSFETs πυριτίου. Η τρέχουσα έρευνα επικεντρώνεται στη φυσική και την τεχνολογία ακτίνων Si, SOI και Si / SiGe MOSFETS.

 

 

Ακόμα, είναι συγγραφέας και συν-συγγραφέας περισσότερων από 200 τεχνικών άρθρων. Σήμερα είναι Πρόεδρος της Ray and Maria Stata στην Ηλεκτρολογική Μηχανική και διευθύνει το Multi-University Focus Research Center for Materials Structures and Devices.

Ο Δρ Αντωνιάδης είναι μέλος του IEEE. Τα βραβεία που έχει λάβει περιλαμβάνουν το «2014 SRC Aristotle Award», το «2017 Technical Excellence Award», το «IEEE Paul Rappaport Award» και το «Solid State Science and Technology Young Author Award» από την Electrochemical Society. Στο IEEE, έχει διατελέσει συντάκτης των IEEE Συναλλαγών Ηλεκτρονικών Συσκευών και σε διάφορες τεχνικές επιτροπές, ενώ τον Απρίλιο του 2018 συνταξιοδοτήθηκε από το MIT.

Το 2015, έλαβε το μετάλλιο IEEE Jun-ichi Nishizawa, εξαιτίας της βαθιάς κατανόησής του στη φυσική των συσκευών. «Ο Δημήτρης Αντωνιάδης έχει κάνει πρωτοποριακές συμβολές στην κατεύθυνση της μικροηλεκτρονικής ολοκληρωμένου κυκλώματος, (IC) προωθώντας τις δυνατότητες των MOSFETS».

 

ΣΧΟΛΙΑ

  Σχόλια: 1

  1. Michail Exarchos

    Congratulations , we are all so proud of Dr. Antoniadis !


Απάντησε στο Michail Exarchos

Πατήστε εδώ για να ακυρώσετε το σχόλιο.